입력 : 2019-08-06 14:00:12
;)
삼성전자 6세대 V낸드 SSD
삼성전자가 ‘6세대(1xx) V낸드 SSD’ 양산 체제에 돌입했다.
삼성전자는 '6세대 256Gb(기가비트) 3비트 V낸드' 기술을 기반으로 한 PC용 SSD(솔리드스테이드드라이브)의 양산 체제에 세계 최초로 돌입했다고 6일 밝혔다.
이번 제품은 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일공정(1 Etching Step)으로 만들면서도 속도와 생산성, 절전 특성을 모두 향상시킨 게 특징이다.낸드플래시 메모리는 셀을 높이 쌓을수록 용량이 커지는데, 이때 속도를 유지·개선하는 게 관건이다.
피라미드 모양으로 쌓은 3차원 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀을 최상단에서 최하단까지 수직으로 한 번에 균일하게 뚫는 공정 기술을 적용해 9x단 이상 V낸드를 생산하는 곳은 현재 업계에서 삼성전자가 유일하다.
삼성전자는 초고난도의 ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술로 5세대 V낸드 보다 단수를 약1.4배나 높인 6세대 V낸드를 성공적으로 양산했다.
6세대 V낸드는 전기가 통하는 몰드(Mold) 층을 136단 쌓은 후, 미세한 원통형의 구멍을 단번에 뚫어 셀 구조물을 연결함으로써 균일한 특성의 3차원 CTF 셀을 만들어 냈다. 일반적으로 적층 단수가 높아질수록 층간의 절연상태를 균일하게 유지하기 어렵고 전자의 이동경로도 길어져 낸드의 동작 오류가 증가해 데이터 판독시간이 지연되는 문제가 발생한다.
삼성전자는 이러한 기술 한계를 극복하기 위해 6세대 V낸드에 ‘초고속 설계 기술’을 적용해 3비트 V낸드 역대 최고속도(데이터 쓰기시간 450㎲ 이하, 읽기응답 대기시간 45㎲ 이하)를 달성했다. 전 세대보다 10% 이상 성능을 높이면서도 동작 전압을 15% 이상 줄였다.
또 삼성전자는 6세대 V낸드에서 6.7억개 미만의 채널 홀로 256Gb 용량을 구현함으로써 5세대 V낸드(9x단, 약9.3억개 채널 홀) 대비 공정 수와 칩 크기를 줄여 생산성도 20% 이상 향상시켰다. 특히 6세대 V낸드는 단일공정을 적용해 세 번만 쌓아도 300단 이상의 초고적층 차세대 V낸드를 만들 수 있어 제품 개발 주기를 더 단축할 수 있다.
삼성전자는 차세대 플래그십 스마트폰에서 요구하는 초고속 초절전 특성을 업계 최초로 만족시킴에 따라 향후 글로벌 모바일 시장 선점에 적극 나선다는 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 솔루션 개발실장 경계현 부사장은 "초고난도 3차원 메모리 양산 기술 확보로 속도와 전력 효율을 높인 메모리 라인업을 적기에 출시하게 됐다"며 "향후 차세대 라인업의 개발 일정을 더 앞당겨 초고속 초고용량 SSD 시장을 발빠르게 확대해 나갈 것"이라고 말했다.
목록
위로