입력 : 2022-06-30 16:06:07
- 미세공정 한계 돌파...세계 1위 TSMC보다 앞서
삼성전자가 세계 최초로 '3나노 시대'를 열었다.
삼성전자는 30일, 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚, 10억분의 1ｍ) 공정 초도 양산을 시작했다고 공식 발표했다.
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< 3나노 파운드리 양산에 참여한 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 주역들이 손가락으로 3을 가리키며 3나노 파운드리 양산을 축하하고 있다. /=삼성전자 제공. >
3나노 공정은 반도체 회로 선폭을 의미하는데, 현재 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다. 이 공정에선 파운드리 업계 1위 기업인 대만 TSMC보다 삼성전자가 앞섰다.
지금까지 삼성전자와 TSMC의 최선단(최소선폭) 공정은 4나노였다.
삼성전자는 이번 3나노 공정에서 차세대 트랜지스터 구조인 'GAA'(Gate-All-Around) 신기술을 세계 최초로 적용하며 기술 혁신을 이뤄냈다.
GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 줄이고, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있어 기존 핀펫(FinFET) 기술에서 한 단계 진보된 차세대 반도체 핵심 기술로 알려졌다.
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< 삼성전자 화성캠퍼스 /=삼성전자 제공. >
삼성전자는 3나노 GAA 1세대 공정이 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력을 45% 절감하면서 성능은 23% 높이고, 반도체 면적을 16% 줄일 수 있다고 설명했다. 내년에 도입될 예정인 3나노 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소 등의 성능이 예상된다고 회사는 설명했다.
앞으로 삼성전자는 PPA와 단위 전력당 성능을 강화해 차세대 파운드리 서비스 시장을 주도해 나갈 계획이다.
또한 삼성전자는 이번 3나노 양산을 계기로 세계 1위 파운드리 기업 대만 TSMC 추격에 속도를 낸다는 계획이다.
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