입력 : 2022-07-25 14:43:58
- 화성 V1라인에서 출하식 열어..."혁신적 기술력으로 세계 최고 되겠다"
삼성전자가 대만 TSMC보다 먼저 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 공정 양산에 들어가며 세계 정상 수준의 반도체 기술을 입증했다.
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< 삼성전자, 세계 최초 3나노 반도체 양산 출하 성공 /=삼성전자 제공. >
25일 삼성전자는 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노(1㎚는 10억분의 1ｍ) 파운드리 제품 출하식을 개최했다.
이날 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장) 및 임직원, 협력사와 팹리스 관계자 등 100여명이 참석했다.
삼성전자 파운드리사업부는 이날 출하식에서 3나노 GAA 공정 양산과 선제적 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다고 포부를 밝혔다.
경 사장은 인사말에서 "삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다"면서 "핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라고 평가했다.
이 장관은 축사에서 삼성전자 임직원들과 기술 개발에 힘을 보탠 반도체업계의 노력에 감사를 표한 뒤 "앞으로도 3나노 공정이 높은 수율(결함이 없는 합격품의 비율)을 확보해 안정적으로 안착하려면 업계가 힘을 모아야 한다"고 강조했다.
이어 "정부도 최근 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소재·부품·장비(소부장) 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라고 약속했다.
삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초반부터 시작했고, 2017년부터 3나노 공정에 적용해 최근 양산에 성공했다.
삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음 적용하고, 주요 고객사와 협력해 모바일 시스템온칩(SoC) 등 다양한 제품군으로 확대할 계획이다.
향후 삼성전자는 3나노 GAA 파운드리를 평택 캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.
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