입력 : 2022-12-21 13:21:52
- 생산성 20% ↑·소비전력 23% ↓
삼성전자가 반도체 업계 최신 기술이 적용된 제품을 생산하면서 기술 초격차를 유지해 나간다.
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< 삼성전자가 개발한 업계 최선단 12나노급 16Gb DDR5 D램 /=삼성전자 제공. >
삼성전자가 업계 최선단(최소 선폭) 12㎚(나노미터, 10억분의 1ｍ) DDR5 D램을 개발하고 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다.
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높였다. 또 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다. 특히 멀티레이어 EUV(극자외선) 기술을 활용해 집적도로 개발됐다.
EUV 기술을 적용하면 반도체 회로를 더 세밀하게 구현할 수 있어 생산성이 향상된다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.
DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다. 또 소비 전력이 약 23% 개선됐다.
삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대할 계획이다. 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.
또한 삼성전자는 2023년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산하는 한편, 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.
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