입력 : 2023-08-09 15:01:36
- 미국 '플래시 메모리 서밋'서 샘플 공개...이전 세대 대비 생산성 59%↑
SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발 진행을 공식화했다. 2025년 상반기부터 321단 낸드를 양산한다는 계획이다.
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< SK하이닉스 321단 4D 낸드 /=SK하이닉스 제공. >
SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit·FMS) 2023'에서 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다.
플래시 메모리 서밋은 매년 샌타클래라에서 열리는 낸드 업계 세계 최대 규모의 콘퍼런스다.
낸드플래시는 한 개의 셀에 몇 개의 정보를 저장하는지에 따라 싱글레벨셀(SLC), 멀티레벨셀(MLC), 트리플레벨셀(TLC), 쿼드러플레벨셀(QLC), 펜타레벨셀(PLC) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.
321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512기가비트(Gb)와 비교해 생산성이 59% 높아졌다.
데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 쌓아 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현하게 됨으로써 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.
메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산한다는 계획이다.
SK하이닉스는 이번 행사에서 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(eSSD)와 UFS 4.0도 함께 소개했다.
최근 생성형 인공지능(AI) 시장의 성장 속에 급격히 늘어나고 있는 고성능·고용량 메모리 수요에 대응하기 위한 제품이다. 회사는 이에 덧붙여 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에도 착수했다고 설명했다.
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