입력 : 2024-02-21 16:04:33
- 팹리스 고객 개발 시간·비용 절감 효과...AI 칩렛 솔루션 등 협업 확대
삼성전자가 글로벌 반도체설계자산(IP) 기업 Arm(암)과 협력을 강화한다. 삼성전자 파운드리 사업부가 Arm의 차세대 SoC 설계 자산을 최첨단 게이트올어라운드(GAA)공정에 최적화하는 방식으로 양사간 협력을 강화할 방침이다.
삼성전자 파운드리 사업부는 GAA 기반 최첨단 공정에 Arm의 차세대 시스템온칩(SoC) 설계 자산(IP)을 최적화한다고 21일 밝혔다.
팹리스(fabless·반도체 설계 전문회사) 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화할 계획이다.
GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술로, 차세대 파운드리 '게임 체인저'로 평가받고 있다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 3나노 공정에 도입했다. 현재 GAA 기반 3나노 1세대를 양산 중이며, 2세대 공정을 개발 중이다.
삼성 파운드리는 2018년 7월 Arm과 7나노, 5나노 핀펫 공정 기술로 협력 확대를 발표하는 등 Arm과 10년 넘게 협력을 이어오고 있다.
양사 간 협업으로 팹리스 고객들은 생성형 AI 시대에 맞는 SoC 제품 개발 과정에서 Arm의 최신형 CPU 접근이 용이해진다.
양사는 팹리스 기업에 적기에 제품을 제공하면서도 우수한 PPA(소비전력·성능·면적)를 구현하는 것에 초점을 맞출 계획이다.
양사는 이를 위해 협력 초기부터 설계와 제조 최적화를 동시에 처리하는 DTCO(Design-Technology Co-Optimization)를 채택해 Arm의 최신 설계와 삼성전자의 GAA 공정의 PPA 개선 효과를 극대화했다.
양사는 이번 협업을 계기로 다양한 영역에서 협력 확대를 위한 초석을 마련했다. 양사는 차세대 데이터센터와 인프라 맞춤형 반도체를 위한 2나노 GAA와 미래 생성형 AI 모바일 컴퓨팅 시장을 겨냥한 AI 칩렛 솔루션을 순차적으로 선보일 계획이다.
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